【学术进展】 Si基AlGaN/GaN功率半导体器件的研制和TCAD模型研究 以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体功率器件具有优异的高频特性、高功率密度和能量转换效率，因此在数据中心、消费电子、电动汽车、光伏等领域展现出广阔前景；也为GaN在低成本和大规模Si衬底上的异质外延技术指明了应用方向；Si上GaN具有成本低，并与Si基CMOS 半导体器件 si tcad algan tcad模型 2025-09-05 08:53 3